ICAT共同研究プロジェクト
小池研究室
未来科学技術
共同研究センター
小池 淳一 教授
研究概要
本事業は電子デバイスの性能と信頼性を向上するために、現行構成材料の課題を抽出し、新材料と新工程を開発して課題解決につなげる。得られる成果をもとに、材料・装置メーカーと共同開発し、量産対応が可能な材料提供および工程を確立する。この体制で作製するデモサンプルは、デバイスメーカーで評価され、短期間で量産への移行を可能とする。
これまでの実績
先端半導体デバイスの配線材料において、寿命が飛躍的に改善するCu-Mn合金を開発し、配線の標準材料となった。また、電子部品実装などに用いる導電性ペーストを開発し、自ら社会実装を目指して起業した。
これからの取組
2nmノード以降のデバイス配線材料として、微細化による性能劣化を抑制する新バリア材料をデバイスメーカーと共同開発。また、現行のCu配線の課題を根本的に解決する新配線材料を開発し、材料・装置メーカーと量産に向けた体制を構築。デバイスメーカーにおけるデモ評価と量産移行への支援を実施。
共同研究企業
- JX金属株式会社
- 株式会社アルバック
- 株式会社荏原製作所
- 株式会社マテリアル・コンセプト
- 東京エレクトロン株式会社
- Lam Research
- TSMC
- Merck EMD Electronics
- (2015年以降)